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半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用專題 | 一文讀懂 SemiChem 電化學(xué)滴定原理

 更新時(shí)間:2026-01-09  點(diǎn)擊量:52


半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用專題 | ALP_TN_217_CN_一文讀懂 SemiChem 電化學(xué)滴定原理


奧法美嘉微納米應(yīng)用工程中心 - 夏文靜



介紹

本文隸屬于半導(dǎo)體應(yīng)用專題全文共 4424字,閱讀大約需要 12 分鐘


摘要:拋光液中氧化劑以及濕法清洗工藝中的化學(xué)藥液是晶圓生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵組分,其濃度直接影響晶圓良率和工藝穩(wěn)定性。本文基于Entegris SemiChem APM 200型濃度計(jì),對其在監(jiān)測濃度時(shí)采用的滴定法與標(biāo)準(zhǔn)加入法的工作原理進(jìn)行說明。通過舉例詳述DSP清洗液中的各個(gè)組分的滴定步驟與計(jì)算過程,為CMP工藝中氧化劑濃度監(jiān)控及濕法清洗工藝中關(guān)鍵化學(xué)品濃度的在線、精準(zhǔn)監(jiān)測提供了清晰的理論基礎(chǔ)與方法依據(jù),為讀者在使用SemiChem時(shí)提供新思路。


關(guān)鍵詞:濕法清洗工藝;Entegris;電化學(xué)滴定;標(biāo)準(zhǔn)加入法




引言



研磨液既具有化學(xué)特性,又有機(jī)械特性,其中的氧化劑會(huì)通過化學(xué)反應(yīng)氧化晶圓表面材料,再輔助機(jī)械研磨進(jìn)行材料去除。研磨液中常用H2O2作為氧化劑,隨著時(shí)間的推移,H2O2會(huì)分解成水和氧氣,影響表面研磨質(zhì)量[1,2]。為了減少晶圓缺陷和避免廢品,產(chǎn)線上需要實(shí)時(shí)監(jiān)控氧化劑的濃度。

濕法清洗是保障后續(xù)工藝的可靠性與器件性能的關(guān)鍵步驟[3],隨著制程進(jìn)入納米尺度,對清洗效果及工藝穩(wěn)定性的要求愈發(fā)嚴(yán)苛,化學(xué)藥液的精確濃度控制成為核心問題。DSP清洗液是HF、H2SO4和H2O2組成的混合液,因其對顆粒污染物的高效去除能力、廣泛的適用性以及成本效益等優(yōu)勢被廣泛應(yīng)用于集成電路制造前端工藝的各大清洗點(diǎn)[4],其中HF具有強(qiáng)腐蝕性,在清洗工藝進(jìn)行時(shí),需要對HF的蒸發(fā)進(jìn)行補(bǔ)償,以保證在清洗工藝進(jìn)行時(shí),清洗液不會(huì)因HF濃度太高變成刻蝕液,從而影響晶圓的良率。

本文以濕法清潔工藝中常用的DSP清洗液中的組分濃度檢測為例,對其在SemiChem上的濃度檢測原理展開討論。





一、滴定分析法



SemiChem利用氧化還原或酸堿中和的滴定反應(yīng)來計(jì)算出被測樣品的濃度,其核心依據(jù)是一個(gè)常見的化學(xué)反應(yīng)計(jì)量關(guān)系,具體應(yīng)用公式見1-1。已知滴定液的體積和濃度,被測樣品的體積,即可計(jì)算被測樣品的濃度。


1.1 氧化還原反應(yīng)

氧化還原反應(yīng)(Redox)是化學(xué)中常用的核心反應(yīng)類型之一,其本質(zhì)為電子對的偏移。以DSP組分中的過氧化氫(H2O2)為例進(jìn)行說明。在H2O2的滴定過程中,采用硫酸鈰(Ce(SO?)?)作為滴定液。通常H2O2與Ce(SO?)?的氧化還原反應(yīng)在酸性條件下進(jìn)行,反應(yīng)時(shí)四價(jià)的鈰離子被還原為三價(jià)鈰離子,具體見化學(xué)反應(yīng)方程式1-1。


該過程中氧化還原電極(Oxidation-Reduction Potential,ORP)會(huì)監(jiān)測溶液中所有氧化態(tài)物質(zhì)和還原態(tài)物質(zhì)之間發(fā)生電子交換的綜合趨勢,以判斷H2O2的濃度,在此過程中化學(xué)計(jì)量比為=2:1,設(shè)硫酸鈰滴定液的濃度為CCe,達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)消耗的體積為VCe,待測過氧化氫樣品的體積為,則過氧化氫樣品的濃度見公式1-2。


1.2 酸堿中和反應(yīng)

除涉及到電子轉(zhuǎn)移的氧化還原反應(yīng)外,SemiChem的滴定過程還包括酸堿中和反應(yīng),以DSP組分中硫酸(H?SO?)的滴定為例進(jìn)行說明。在H?SO?的滴定過程中,采用氫氧化鈉(NaOH)作為滴定液,滴定時(shí)氫氧根離子與氫離子結(jié)合生成水分子,具體見化學(xué)反應(yīng)方程式1-2。


該過程使用 pH 電極監(jiān)測溶液中 pH 值的變化,反應(yīng)中化學(xué)計(jì)量比為nNaOH:nH2SO4=2:1。設(shè)氫氧化鈉滴定液的濃度為 CNaOH,達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)消耗的體積為VNaOH,待測硫酸樣品的體積為VH2SO4,則硫酸樣品的濃度CH2SO4見公式 1-3。


1.3 滴定終點(diǎn)判斷

對于氧化還原與酸堿中和滴定,一般而言,其電極電勢或pH值與添加滴定液的體積的分析曲線呈S型。在滴定時(shí),SemiChem通過實(shí)時(shí)判斷導(dǎo)數(shù)來判定滴定終點(diǎn)(end point),圖1.1展示了橫坐標(biāo)為添加滴定液體積(mL)縱坐標(biāo)為電極電壓(mV)的典型滴定曲線,滴定初期電極電壓值變化不大,取點(diǎn)相對稀疏,隨著滴定的進(jìn)行,導(dǎo)數(shù)變化逐漸變大,取點(diǎn)隨之相對密集。在這一過程中,SemiChem在到達(dá)滴定終點(diǎn)后仍然會(huì)繼續(xù)滴定一段時(shí)間,以保證滴定終點(diǎn)結(jié)果的可靠性。

圖 1.1 典型的滴定法曲線





二、標(biāo)準(zhǔn)加入法



SemiChem還使用標(biāo)準(zhǔn)加入法來判斷濃度。標(biāo)準(zhǔn)加入法是通過測量待測樣品中電位值的變化來判斷濃度。以DSP組分中HF為例進(jìn)行簡單說明,由于用于氟離子檢測的離子選擇電極(Ion-Selective Electrode,ISE)的電位響應(yīng)符合能斯特方程(見公式2-1),即測量的電位與待測溶液中氟離子的活度(氟離子的有效濃度)的對數(shù)呈線性關(guān)系。在檢測濃度時(shí),先加入離子緩沖溶液(TISAB)將pH值升高至5.0-5.5,使溶液中的HF盡可能被電離成氫離子和氟離子,此時(shí),將測試溶液中的電位E1,隨后加入500ppm的氟離子標(biāo)準(zhǔn)液,再測電位E2,通過計(jì)算兩次的電位差和待測樣品加入體積,最終反推出原始濃度。圖2.1顯示了這一滴定過程,橫坐標(biāo)為傳感器響應(yīng)時(shí)間,縱坐標(biāo)為電極電壓(mV)。

其中:

  • E:電極電位(相對于標(biāo)準(zhǔn)氫電極);

  • E0:標(biāo)準(zhǔn)電極電位(所有反應(yīng)物和產(chǎn)物活度均為1時(shí)的電位);

  • R:理想氣體常數(shù)(8.314 J·mol-1·K-1);

  • T:熱力學(xué)溫度(K);

  • n:半反應(yīng)中轉(zhuǎn)移的電子數(shù);

  • F:法拉第常數(shù)(96485 C·mol-1);

  • Q:反應(yīng)商。

在此方程中,電子數(shù)n恰好與反應(yīng)商中氟離子活度指數(shù)3相約,再將其中如R、F等合并常數(shù)項(xiàng),即得到化簡后的能斯特方程2-2。


其中:

  • S:電極的實(shí)際斜率,對于氟離子,25℃時(shí)約為-59.16 mV/decade。

開始測試時(shí),先加入TISAB使活度系數(shù)()恒定,電極電位E與氟離子濃度的關(guān)系可簡化為公式2-3,其中K為常數(shù),C為氟離子濃度。



測試樣品的電位E1后,會(huì)加入一小體積(Vx)的500ppm的氟離子標(biāo)準(zhǔn)溶液,再測試新電位E2,由于Vx小到可以忽略,此時(shí)溶液中氟離子的濃度為,將測得的數(shù)值代入方程聯(lián)立,即可計(jì)算出待測氟離子濃度Cx濃度,具體計(jì)算步驟見公式2-4、2-5。

圖2.1 典型的標(biāo)準(zhǔn)加入法曲線





三、技術(shù)優(yōu)勢



SemiChem APM 200在半導(dǎo)體濕化學(xué)品濃度監(jiān)測中,將高精度的實(shí)驗(yàn)室級(jí)別監(jiān)測與半導(dǎo)體制造需要的高效率相結(jié)合。


(1)功能模塊

SemiChem標(biāo)配高度集成的功能模塊,確保了分析過程的可靠性,操作便捷的同時(shí)保證了數(shù)據(jù)連通與傳輸?shù)臏?zhǔn)確。標(biāo)準(zhǔn)配置包括安全聯(lián)鎖裝置,四個(gè)4-20 mA模擬輸出通道與八個(gè)可編程繼電器;支持計(jì)算機(jī)模式(RS232)、本地模式與遠(yuǎn)程模式(PLC);彩色觸摸屏可直接交互控制,內(nèi)含產(chǎn)線中常用的滴定方法可供直接使用,操作方便快捷;系統(tǒng)支持微量樣品監(jiān)測,同時(shí)具備多個(gè)傳感器接口支持多種組分測試,提升了系統(tǒng)在嚴(yán)苛條件或無人值守環(huán)境下的運(yùn)行安全性、自動(dòng)化水平與長期可靠性。


(2)高性能傳感器

采用pH/ISE/ORP電極,集成滴定法與標(biāo)準(zhǔn)加入法,對關(guān)鍵工藝液中的組分濃度監(jiān)測精度可達(dá)顯示值的±0.2%。隨著制程節(jié)點(diǎn)的不斷縮小,CMP研磨液中氧化劑的濃度也在逐漸變低,SemiChem在H2O2濃度1%以下時(shí),仍表現(xiàn)出良好的重復(fù)性。


(3)核心算法

SemiChem可根據(jù)預(yù)期的終點(diǎn)體積優(yōu)化試劑注射量。隨著總進(jìn)樣量越來越接近滴定終點(diǎn),系統(tǒng)進(jìn)樣量會(huì)越來越小。在傳感器響應(yīng)曲線的關(guān)鍵部分SemiChem提供200多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn),以確定滴定終點(diǎn)。


(4)可選在線/離線進(jìn)樣

SemiChem可實(shí)現(xiàn)在線與離線的多組分自動(dòng)化滴定與數(shù)據(jù)分析,數(shù)據(jù)結(jié)果可在幾分鐘內(nèi)完成計(jì)算并顯示,顯著提升了監(jiān)測效率的同時(shí)簡化了流程,保證了產(chǎn)線中的晶圓良率。


(5)MTBF>8500小時(shí)

SemiChem平均工作時(shí)間(MTBF)超過8500小時(shí),且每月僅需約20-30分鐘的預(yù)防性維護(hù)。25年以上的濃度監(jiān)控成熟技術(shù)及超過3000套的安裝量及在眾多芯片制造商的成功應(yīng)用案例,獲得了業(yè)界的廣泛驗(yàn)證。

圖2.2 SemiChem APM 200, Dual Cell Floor Mount with Grabport, Model 009672







結(jié)論




CMP工藝及清洗步驟是集成電路制造過程中重要的一環(huán),過程中組分濃度的波動(dòng)不僅會(huì)影響后續(xù)沉積工藝的缺陷密度,還會(huì)引發(fā)電學(xué)缺陷,損害器件可靠性,在其中,研磨液中的氧化劑濃度會(huì)影響晶圓表面材料的去除率,從而影響晶圓良率;而清洗液的選擇和成分直接影響清洗的效果和后續(xù)工藝的穩(wěn)定,SemiChem APM 200濃度計(jì)涵蓋了滴定法與標(biāo)準(zhǔn)加入法,為保障清洗工藝穩(wěn)定性、控制缺陷產(chǎn)生及提升集成電路制造良率提供了至關(guān)重要的數(shù)據(jù)支撐。




參考文獻(xiàn)


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